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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
比较
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
总分
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
18.6
17.6
写入速度,GB/s
12.9
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3236
3672
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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