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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
21
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
21
读取速度,GB/s
17.3
18.1
写入速度,GB/s
12.0
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2568
3033
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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