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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
总分
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
46
读取速度,GB/s
17.3
10.7
写入速度,GB/s
12.0
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2568
2239
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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