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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
30
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
30
读取速度,GB/s
17.3
15.6
写入速度,GB/s
12.0
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2568
2341
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB RAM的比较
Mushkin 992038 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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