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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
29
读取速度,GB/s
17.3
18.8
写入速度,GB/s
12.0
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2568
3611
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB RAM的比较
Mushkin 992038 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
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