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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
13.9
21.4
写入速度,GB/s
8.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3448
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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