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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.9
17.8
写入速度,GB/s
8.5
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3129
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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