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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
14.4
写入速度,GB/s
8.5
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3078
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
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