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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
差异
规格
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.5
15.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3477
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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