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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.9
16.2
写入速度,GB/s
8.5
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3221
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
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