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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.9
15.3
写入速度,GB/s
8.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2291
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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