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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.9
18.1
写入速度,GB/s
8.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3418
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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