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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
差异
规格
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
13.9
17.2
写入速度,GB/s
8.5
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3090
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
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