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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.9
16.1
写入速度,GB/s
8.5
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2479
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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