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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
90
左右 54% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
90
读取速度,GB/s
13.9
14.6
写入速度,GB/s
8.5
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
1546
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R7416G2133U2S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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