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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.9
16.1
写入速度,GB/s
8.5
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3084
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1066 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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