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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
18.5
写入速度,GB/s
8.5
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3332
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
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