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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.9
14.3
写入速度,GB/s
8.5
11.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2945
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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