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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.9
19.5
写入速度,GB/s
8.5
15.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3757
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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