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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
83
左右 51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
83
读取速度,GB/s
13.9
14.3
写入速度,GB/s
8.5
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
1752
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
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