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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
13.9
17.1
写入速度,GB/s
8.5
13.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3432
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965516-031.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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