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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
44
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
44
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
8.5
14.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3146
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
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