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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
52
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17500
10600
左右 1.65 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
52
读取速度,GB/s
13.9
10.2
写入速度,GB/s
8.5
8.2
内存带宽,mbps
10600
17500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
排名PassMark (越多越好)
2385
2319
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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