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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
13.9
13.8
写入速度,GB/s
8.5
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
1983
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
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