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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
41
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
35
读取速度,GB/s
13.9
15.5
写入速度,GB/s
8.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2822
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GR7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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