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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
47
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
47
读取速度,GB/s
13.9
14.8
写入速度,GB/s
8.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2875
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
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