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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
53
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
53
读取速度,GB/s
13.9
20.0
写入速度,GB/s
8.5
9.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
2366
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
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