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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB

总分
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

总分
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AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB 需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 66
    左右 41% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 8.5
    测试中的平均数值
AMD R744G2400U1S-UO 4GB 需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 14.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 66
  • 读取速度，GB/s
    14.6 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2355 left arrow 1912

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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