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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
78
左右 50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
78
读取速度,GB/s
14.6
13.4
写入速度,GB/s
8.8
6.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
1526
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO 5641152 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
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Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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