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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
14.6
12.3
写入速度,GB/s
8.8
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2689
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
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