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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
26
读取速度,GB/s
14.6
17.2
写入速度,GB/s
8.8
15.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3692
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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