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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
14.6
16.5
写入速度,GB/s
8.8
13.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3061
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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