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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
14.6
18.1
写入速度,GB/s
8.8
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3733
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
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