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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
39
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
24
读取速度,GB/s
14.6
16.5
写入速度,GB/s
8.8
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2982
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KF560C40-16 16GB
INTENSO 5641152 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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