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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
差异
规格
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差异
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
14.6
19.3
写入速度,GB/s
8.8
16.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3914
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
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