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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
14.6
17.2
写入速度,GB/s
8.8
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3595
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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