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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
27
读取速度,GB/s
14.6
17.8
写入速度,GB/s
8.8
14.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3386
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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