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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
14.6
15.3
写入速度,GB/s
8.8
11.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2810
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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