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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
14.6
17.8
写入速度,GB/s
8.8
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3568
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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