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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
39
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
30
读取速度,GB/s
14.6
16.1
写入速度,GB/s
8.8
12.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2882
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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