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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
39
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
26
读取速度,GB/s
14.6
16.2
写入速度,GB/s
8.8
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2728
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
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