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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
14.6
15.3
写入速度,GB/s
8.8
11.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2697
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
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Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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