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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
39
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
36
读取速度,GB/s
14.6
14.7
写入速度,GB/s
8.8
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2554
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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