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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
14.6
15.9
写入速度,GB/s
8.8
10.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2733
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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