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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
58
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
58
读取速度,GB/s
14.6
9.7
写入速度,GB/s
8.8
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2172
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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