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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
39
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
25
读取速度,GB/s
14.6
13.4
写入速度,GB/s
8.8
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2825
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
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