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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
60
读取速度,GB/s
14.6
15.3
写入速度,GB/s
8.8
11.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2359
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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