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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
64
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
64
读取速度,GB/s
14.6
16.8
写入速度,GB/s
8.8
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2052
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
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