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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
39
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
32
读取速度,GB/s
14.6
15.9
写入速度,GB/s
8.8
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
2831
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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