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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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规格
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需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
14.1
16.5
写入速度,GB/s
8.7
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
2739
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
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